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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

項目情况 此的项目最靠近长四角区域某政府级半导体器件家产园里,中小型企业重要出产854英寸和1254英寸晶圆,日产尼桑量提高2万片。逐渐产销量提高,原本的的工业废水净化处理平台已不了足够环保节能的标准,急需要升级系统拆除。的项目总交易约1300万元,结构设计净化处理效率为300吨/日,于2022年俊工投产。 污水化学物质及原因 该企业的晶圆小学划片多种工序产生的废气具体构成下组分: 激光切时中实用的碾磨液余留物,主耍化学物质为二腐蚀硅粒状、从表面亲水性剂和生物碳填加剂 晶圆外表面难以清理行成的含氟污废水 ,氟化合物含量在80-120mg/L 少许天价属化合物如铜、镍等,因素于切割器软件刹车盘磨损 生物碳石油醚残留物,涵盖异丙醇、二甲苯等 pH值冲击大,经常在4-10直接 解决的工艺步骤流程 对于废液性状,设定采取"物理预补救+生化模式补救+厚度补救"的组合起来方法: 设定池 :均衡化水质检测用水量,布置pH手机在线监控方案和自主投药系統 混凝土水解 :加药PAC和PAM,祛除自动隐藏物和胶体溶液物 气浮单无 :采取溶气气浮流程进三步消除不起眼颗粒状和那部分无机物 生物化学处里 :分为MBR膜微生物反映器,污泥干化氧化还原电位持续在8000-10000mg/L 层次加工处理 :融于性炭吸+反融于工艺技术,加强组织领导溢水未达标 污泥干化处里 :板框带式压滤机甩干,淤泥水分含量率降下来60%下类 补救成效 设备保持稳定运营后,溢水水环境充分到《智能重工业水生态破坏物排出条件条件》(GB39731-2020)很排出条件卫生防护距离规范要求: COD<30mg/L 氟阴阳离子<5mg/L 浮悬物<10mg/L 巨资属四项指标值均如果低于卫生防护距离 活动历年可可以减少危害物直接消费量上涨约COD 32吨、氟化物8.5吨,使用水率达到75%以下,为品牌节约了有水费结余约130万元/年。

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